삼성전자 반도체 HBM 개발실 신설 - 승부를 걸다

삼성전자가 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력을 강화하기 위해 HBM 개발실을 신설하고 있습니다. 최근에 구성한 HBM 관련 태스크포스(TF) 팀을 격상시킬 계획입니다. 현재 팀 규모는 아직 정해지지 않았지만, 개발실 혹은 개발팀 조직으로 구성될 예정입니다.

 

 

 

이에 대해 삼성전자 내부에서는 큰 관심을 가지고 있습니다. 이정배 메모리사업부장(사장)이 HBM 개발 조직 신설을 검토하도록 지시했습니다. 만약 TF가 개발실 조직으로 승격되면 HBM 개발에 집중할 설계팀과 설루션팀 등이 구성될 것으로 예상됩니다. 이는 개발부터 수율 안정화까지 큰 도움이 될 것으로 기대됩니다. 개발실장은 부사장급으로 지정될 예정입니다. 삼성전자는 최근에 경계현 DS부문장(사장)의 지시로 HBM 관련 TF팀을 구성했습니다. 이는 HBM3 시장에서 SK하이닉스의 독주를 깨기 위한 특별한 조치입니다. 삼성전자는 이 TF팀을 공식 부서로 승격시켜 HBM3 E 시장에서 헤게모니를 되찾겠다는 목표를 가지고 있습니다.

 

 

삼성전자 반도체 HBM 승부수 던지다

 

HBM2E는 3세대 제품으로 메모리 3사 중 삼성전자의 점유율이 가장 높습니다. 최근에 마이크론이 차세대 제품인 HBM3E 양산을 발표했습니다. 이로 인해 삼성전자 내부에서 위기감이 더욱 고조되고 있습니다. 마이크론의 HBM3 E 8단 제품은 엔비디아의 퀄테스트를 통과한 것으로 보입니다. 마이크론의 HBM3 E는 올해 2분기에 출시될 엔비디아 H200에 탑재될 예정입니다. 삼성전자도 2월 말에 HBM3 E 12단 제품 개발을 발표했습니다. 상반기 내에 양산에 들어갈 예정이며, 마이크론과는 달리 구체적인 고객사에 대해서는 언급하지 않았습니다.

 

 

업계에서는 삼성전자의 HBM3E 고객사가 미국 빅테크 기업과 AMD 등으로 추정되고 있습니다. HBM 개발 조직은 시장 판도를 바꿀 중요한 역할을 합니다. 이 조직이 신설되면 HBM3E 수율 안정화와 HBM4 개발 등의 업무를 담당할 것으로 예상됩니다. HBM4는 하이브리드 본딩과 핀펫(FinFET) 공정을 통해 생산되는 로직 다이 등의 신기술이 적용됩니다. 하이브리드 본딩은 차세대 패키징 기술로 주목받고 있으며 기존 본딩 방식 대비 I/O와 배선 길이 등을 개선할 수 있는 장점이 있습니다. 업계에서는 HBM4부터 하이브리드 본딩 방식이 적용될 것으로 예상하고 있습니다.

 

 

 

 

 

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